用于半导体应用，晶体生长温度测量的红外测温仪

KELLER红外测温仪特点

• 高精度的宽测量范围
• 很高的重复性
• 可通过控制按键调节参数
• 功耗很低，使用寿命长
• 检测镜头污染功能
• 多种信号输出
• 多种瞄准方式
• 专用软件

喜讯：我们可以提供部分型号样机做短期测试!

CellaWafer PK 35 是一款可在450℃至1400 ℃的温度范围内快速精确地测量半导体涂层和热处理温度的红外测温仪。

CellaTemp PKF 66 具有独立的电子设备和测温镜头，红外辐射通过光纤传输到电子设备，镜头可以耐受环境温度高达250℃。此型号测温仪也可用于狭窄的安装条件或高电磁场。光纤电缆的长度可达50m。

 PA/PX 29 特殊的波段对被测物附近的反射光的敏感度远小于一般常见的普通短波长红外测温仪，其特别设计的带阻滤波器和传感器可忽视来自日光和激光的红外辐射干扰，可以非常准确的捕捉由二极管 Nd:YAG 或者 CO₂ 激光器热处理的金属表面温度而不受激光高能量的影响，这一特性使得该测温仪适用于PVD（物理气相沉积）涂层工艺。

CellaWafer PA 38 用于测量半导体晶片涂层和热处理过程中的温度。

由于其短波和窄带测量波长，该设备可用于 MOCVD 和 RTP 过程中的测量。

CellaCrystal PA/PX 64 用于CVD（化学气相沉积）涂层过程的温度测量。由于特殊的波长，红外测温仪也可用于等离子体辅助蒸汽沉积。

CellaCrystal PA/PX 44 被研究用于硅和碳化硅晶体生产过程中的光学温度测量。在整个测量范围内两个波长信号的连续高分辨率< 0.1 K，并且均匀光传感器技术具有很高的长期稳定性，因此该仪器满足了高测量精度要求。

CellaCrystal PA/PX 45 测温仪的特点是测量范围非常大，为900 – 3200 ℃。由于采用了混合信号处理，它在整个测量范围内具有持续的高信号分辨率和极高的长期稳定性，这使得它成为碳化、石墨化和晶体生长的理想选择。

Mikro PV 11 强度比较辐射红外测温仪的测量原理为比较叉丝叠加显示在被测目标上，通过手动改变参考灯的辐射强度，使比较叉丝的亮度与测量对象的亮度相近，直到两者相同，然后可以从显示屏上读取温度值。由于人眼的高灵敏度和仪器的短波光谱灵敏度，这种测量方法实际上是非接触式温度测量领域中最古老但最准确的方法之一，显然优于当今的现代电子设备。

在钻石生长工艺中，该测温仪的测量原理使其不受高温等离子体的影响，从而得到正确的测量温度。